Micron uvádí na trh první 1 γ DDR5 DRAM CHIP pomocí technologie EUV
Feb 26,2025
Micron Technology oznámila, že začala přepravovat 1 Gamma (1-gama) 16Gbit DDR5 DRAM čipy některým ekosystémovým partnerům a zákazníkům.
Micron tvrdí, že je první společností, která přijala 1-gama (1 y) uzel, který odkazuje na šestou generaci technologie DRAM s minimální geometrickou velikostí mezi 19nm a 10nm.Když výrobci DRAM začali vyrábět 10nm na úrovni DRAM, opustili měření nanočástic a místo toho přijali 1x, 1Z, 1z, nyní 1 a, 1 β a 1 γ.
Díky předchozí hlavní výhodě Micronu v 1 uzlech 1 α a 1 β DRAM bude tento nový milník v 1 y DRAM uzlu řídit inovativní vývoj budoucích výpočetních platforem z cloudových, průmyslových a spotřebitelských aplikací na zařízení AI End-to-End, jako je AIPC, smartphony a automobily.Mezitím může Micron vyvinout 1 uzel gama na různých výrobních základech po celém světě, poskytnout průmyslu pokročilejší technologii a silnější odolnost dodávek.
Micron tvrdí, že je první společností, která přijala 1-gama (1 y) uzel, který odkazuje na šestou generaci technologie DRAM s minimální geometrickou velikostí mezi 19nm a 10nm.Když výrobci DRAM začali vyrábět 10nm na úrovni DRAM, opustili měření nanočástic a místo toho přijali 1x, 1Z, 1z, nyní 1 a, 1 β a 1 γ.
Díky předchozí hlavní výhodě Micronu v 1 uzlech 1 α a 1 β DRAM bude tento nový milník v 1 y DRAM uzlu řídit inovativní vývoj budoucích výpočetních platforem z cloudových, průmyslových a spotřebitelských aplikací na zařízení AI End-to-End, jako je AIPC, smartphony a automobily.Mezitím může Micron vyvinout 1 uzel gama na různých výrobních základech po celém světě, poskytnout průmyslu pokročilejší technologii a silnější odolnost dodávek.
Micron's 1 y 16Gbit DDR5 DRAM je navržen tak, aby poskytoval rychlostní schopnost až 9200 MT/s, což je o 15% rychlejší a více než 20% nižší spotřeby energie ve srovnání s jeho předchůdcem (16Gbit DDR5 implementovaný pomocí 1 β technologie).
Ve srovnání s předchozí generací technologie 1 y uzlu EUV zvýšila hustotu kapacity oplatky o 30%, což zlepšilo ekonomické přínosy Micronu.Na rozdíl od 1 β uzlu však vyžaduje použití litografické technologie extrémní ultrafialové (EUV) k zobrazení jemnějších funkcí na křemíkových opcích s použitím extrémně krátkých vlnových délek.Paměť také zahrnuje technologii CMOS s vysokou generací Metal Gate s vysokou generací, která zvyšuje výkon tranzistoru, dosahuje vyšších sazeb, optimalizovanějších návrhů a menší velikosti funkcí, čímž přináší dvojí výhody snižování spotřeby energie a rozšíření výkonu.
Scott DeBoer, výkonný viceprezident a hlavní ředitel technologie a produktů společnosti Micron, řekl: „S odbornými znalostmi v oblasti vývoje proprietární technologie DRAM a strategické aplikace technologie EUV litografické technologie vytvořil Micron portfolio pokročilých paměťových produktů založené na 1 uzle gama, která pomáhá říditVývoj ekosystému AI.rozsah zásobování paměti pro uspokojení rostoucí poptávky v tomto odvětví
Micron plánuje představit 1 gama v celé své sérii DRAM.To zahrnuje DDR5 pro datová centra, nízkoenergetickou DRAM pro Edge AI, DDR5 SODIMM pro AI PC a LPDDR5X pro mobilní produkty a automobily.
Společnost Micron uvedla, že zákazníci AMD a Intel začali ověřit používání 1 gama DRAM ve svých serverech a spotřebitelských procesorech.
Ve srovnání s předchozí generací technologie 1 y uzlu EUV zvýšila hustotu kapacity oplatky o 30%, což zlepšilo ekonomické přínosy Micronu.Na rozdíl od 1 β uzlu však vyžaduje použití litografické technologie extrémní ultrafialové (EUV) k zobrazení jemnějších funkcí na křemíkových opcích s použitím extrémně krátkých vlnových délek.Paměť také zahrnuje technologii CMOS s vysokou generací Metal Gate s vysokou generací, která zvyšuje výkon tranzistoru, dosahuje vyšších sazeb, optimalizovanějších návrhů a menší velikosti funkcí, čímž přináší dvojí výhody snižování spotřeby energie a rozšíření výkonu.
Scott DeBoer, výkonný viceprezident a hlavní ředitel technologie a produktů společnosti Micron, řekl: „S odbornými znalostmi v oblasti vývoje proprietární technologie DRAM a strategické aplikace technologie EUV litografické technologie vytvořil Micron portfolio pokročilých paměťových produktů založené na 1 uzle gama, která pomáhá říditVývoj ekosystému AI.rozsah zásobování paměti pro uspokojení rostoucí poptávky v tomto odvětví
Micron plánuje představit 1 gama v celé své sérii DRAM.To zahrnuje DDR5 pro datová centra, nízkoenergetickou DRAM pro Edge AI, DDR5 SODIMM pro AI PC a LPDDR5X pro mobilní produkty a automobily.
Společnost Micron uvedla, že zákazníci AMD a Intel začali ověřit používání 1 gama DRAM ve svých serverech a spotřebitelských procesorech.