Číslo dílu výrobce : | RS1DL RUG |
---|---|
Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
Výrobce / značka : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Stav zásob : | 393046 pcs Stock |
Popis : | DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA |
Odeslat z : | Hongkong |
Datasheety : | RS1DL RUG.pdf |
Cesta zásilky : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Číslo dílu | RS1DL RUG |
---|---|
Výrobce | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Popis | DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA |
Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 393046 pcs |
Datasheety | RS1DL RUG.pdf |
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.3V @ 800mA |
Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Dodavatel zařízení Package | Sub SMA |
Rychlost | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Série | - |
Reverse Time Recovery (TRR) | 150ns |
Obal | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice | DO-219AB |
Ostatní jména | RS1DL RUG-ND RS1DLRUG |
Provozní teplota - spojení | -55°C ~ 150°C |
Typ montáže | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby | 25 Weeks |
Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Diode Type | Standard |
Detailní popis | Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA |
Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5µA @ 200V |
Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 800mA |
Kapacitní @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
DIODE GP 200V 800MA SOD123FA
Na skladě