Číslo dílu výrobce : | GL4800E0000F |
---|---|
Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
Výrobce / značka : | Sharp Microelectronics |
Stav zásob : | 5250 pcs Stock |
Popis : | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Odeslat z : | Hongkong |
Datasheety : | GL4800E0000F.pdf |
Cesta zásilky : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Číslo dílu | GL4800E0000F |
---|---|
Výrobce | Sharp Microelectronics |
Popis | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 5250 pcs |
Datasheety | GL4800E0000F.pdf |
Vlnová délka | 950nm |
Napětí - vpřed (Vf) (typ) | 1.2V |
Úhel pohledu | 60° |
Typ | Infrared (IR) |
Série | - |
Záøivost (Tj) Min @-li | - |
Obal | Bulk |
Paket / krabice | Radial |
Ostatní jména | 425-1939-5 |
Orientace | Side View |
Provozní teplota | -25°C ~ 85°C (TA) |
Typ montáže | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Detailní popis | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 60° Radial |
Proud - DC dopředu (pokud) (Max) | 50mA |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Na skladěEMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB