Číslo dílu výrobce : | EMG11T2R |
---|---|
Stav RoHs : | Bez olova / V souladu RoHS |
Výrobce / značka : | LAPIS Semiconductor |
Stav zásob : | 8048 pcs Stock |
Popis : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Odeslat z : | Hongkong |
Datasheety : | EMG11T2R(1).pdfEMG11T2R(2).pdf |
Cesta zásilky : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Číslo dílu | EMG11T2R |
---|---|
Výrobce | LAPIS Semiconductor |
Popis | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
Stav volného vedení / RoHS | Bez olova / V souladu RoHS |
Dostupné množství | 8048 pcs |
Datasheety | EMG11T2R(1).pdfEMG11T2R(2).pdf |
Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Dodavatel zařízení Package | EMT5 |
Série | - |
Resistor - emitorová základna (R2) | 47 kOhms |
Rezistor - základna (R1) | 2.2 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Obal | Cut Tape (CT) |
Paket / krabice | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Ostatní jména | EMG11T2RCT |
Typ montáže | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby | 10 Weeks |
Stav volného vedení / RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frekvence - Přechod | 250MHz |
Detailní popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 500nA |
Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Číslo základní části | *MG11 |
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Na skladěTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Na skladěTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Na skladěTRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Na skladěTRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5